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分立半导体
SQJ423EP-T1_GE3参考图片

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SQJ423EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.4862
648.62
500
¥5.0737
2536.85
3,000
¥3.6838
11051.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ423EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ACST1035-8FP
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 10A Rms 700V Vrrm 10 or 35mA AC Switch
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:6978
JANS1N6309C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
50:¥2,019.7394
参考库存:49622
JANTXV1N4569A-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥783.6098
参考库存:49627
JANS1N4962D/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥2,530.8836
参考库存:49632
STGWT20V60DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.8257
参考库存:4995
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