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分立半导体
STGW15M120DF3参考图片

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STGW15M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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数量单价合计
1
¥51.1777
51.1777
10
¥46.2622
462.622
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥38.2618
3826.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW15M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW15M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4621-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:33202
BZX84C47-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:33207
MMSZ5240B-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:33212
MMBZ5244C-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 14 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:33217
MMSZ5239B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:33222
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