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分立半导体
SPP06N80C3XKSA1参考图片

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SPP06N80C3XKSA1

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数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
1,000
¥6.78
6780
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
780 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683154 SPP06N80C3 SPP6N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP06N80C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR0520LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0.5A 20V
1:¥2.4634
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:338641
SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7628
参考库存:124153
NX2301P,215
Nexperia
分立半导体
MOSFET P-CH -20 V -2 A
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:710350
MB14S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 40V Schottky rectifier,
1:¥4.3053
10:¥2.8702
100:¥1.9323
500:¥1.5933
3,000:¥1.06785
6,000:查看
参考库存:92372
FERD30M45CG-TR
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 ST advancd rectifier 45V 0.35Vf +175
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:11589
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