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分立半导体
NP90N06VLG-E1-AY参考图片

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NP90N06VLG-E1-AY

  • Renesas Electronics
  • 最新
  • MOSFET POWER DEVICE E AUTO MOS MP-3ZP UMOS4
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¥7.2659
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5,000
¥6.7235
33617.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
105 W
封装
Reel
商标
Renesas Electronics
正向跨导 - 最小值
66 S
下降时间
7 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，NP90N06VLG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ5.1D5E3/TR12
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4,000:¥5.0059
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2,500:¥6.4071
参考库存:45880
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