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分立半导体
SIA519EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA519EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.7798
277.98
500
¥2.2939
1146.95
1,000
¥1.7628
1762.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms, 90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV, 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC, 5.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S, 7 S
下降时间
16 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns, 25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 20 ns
零件号别名
SIA519EDJ-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SIA519EDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5582/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
103:¥76.6818
250:¥70.4668
500:¥64.2405
1,000:¥55.935
参考库存:47622
JAN1N4117UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥81.8346
200:¥74.6139
500:¥69.7662
1,000:¥64.0032
参考库存:47627
CDLL5537A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥50.2511
142:¥50.2511
200:¥46.1831
500:¥42.1038
1,000:¥36.6572
参考库存:47632
CDLL4762/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥27.5833
258:¥27.5833
500:¥24.8148
1,000:¥20.905
2,500:¥19.8993
参考库存:47637
JANTXV1N4614 (DO35)
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥41.3354
300:¥37.3465
500:¥33.5045
1,000:¥28.2726
参考库存:47642
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