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分立半导体
IKZ50N65NH5XKSA1参考图片

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IKZ50N65NH5XKSA1

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1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.2618
3826.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
273 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ50N65NH5 SP001160042
商品其它信息
优势价格，IKZ50N65NH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4711-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:31301
MMSZ5243B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:31306
TLZ3V3A-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:31311
BZX384C11-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.2W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:31316
BZX84C5V1-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:53188
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