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分立半导体
BSZ12DN20NS3 G参考图片

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BSZ12DN20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2206
2610.3
1,000
¥4.1132
4113.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
11.3 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
12 S, 6 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN2NS3GXT SP000781784
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ12DN20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4749E3/TR13
Microsemi
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3EZ19D2E3/TR12
Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥6.102
8,000:¥5.8647
参考库存:51039
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