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分立半导体
RD3P130SPFRATL参考图片

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RD3P130SPFRATL

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252
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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.8986
5898.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,RD3P130SPFRATL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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7,500:¥0.80682
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45,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:60016
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6,000:¥0.91417
9,000:¥0.86784
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