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分立半导体
FDP55N06参考图片

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FDP55N06

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库存:12,191(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0964
3548.2
1,000
¥5.5935
5593.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP55N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP55N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
2,500:¥3.5369
参考库存:97526
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
1:¥154.4484
100:¥141.0805
500:¥127.6335
参考库存:3398
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
1:¥27.7415
10:¥23.5153
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:2855
分立半导体
整流器 30A 600V
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
参考库存:42537
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:13109
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