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分立半导体
TP0620N3-G参考图片

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TP0620N3-G

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库存:8,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥10.2152
102.152
25
¥8.6106
215.265
100
¥7.8422
784.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
175 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,TP0620N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥91.2814
10:¥82.1397
25:¥74.8399
100:¥67.5401
参考库存:4567
分立半导体
整流器 1.5A 1000V
1:¥5.4579
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:61404
分立半导体
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:4721
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:28313
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A Dual
1:¥443.8301
5:¥435.6828
10:¥417.7045
25:¥404.6417
参考库存:4410
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