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分立半导体
PMDPB30XN,115参考图片

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PMDPB30XN,115

  • Nexperia
  • 最新
  • MOSFET PMDPB30XN/HUSON6/REEL 7" Q1/T1
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.0001
200.01
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.4238
4271.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Qg-栅极电荷
14.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
7.200 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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