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分立半导体
MG1250S-BA1MM参考图片

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MG1250S-BA1MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 50A Dual
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库存:4,410(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥443.8301
443.8301
5
¥435.6828
2178.414
10
¥417.7045
4177.045
25
¥404.6417
10116.0425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
500 W
封装 / 箱体
Package S
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG1250S
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,MG1250S-BA1MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
参考库存:4585
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.09158
参考库存:30707
分立半导体
稳压二极管 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 27Vz(V) Min
1:¥2.9154
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:33259
分立半导体
MOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET
1:¥8.1473
10:¥6.9156
100:¥5.3788
500:¥4.7686
3,000:¥3.2996
9,000:查看
参考库存:18611
分立半导体
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:33983
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