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分立半导体
TSM3N90CI C0G参考图片

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TSM3N90CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.2659
726.59
500
¥5.6387
2819.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格，TSM3N90CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ACST1035-8FP
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 10A Rms 700V Vrrm 10 or 35mA AC Switch
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:6978
JANS1N6309C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
50:¥2,019.7394
参考库存:49622
JANTXV1N4569A-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥783.6098
参考库存:49627
JANS1N4962D/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥2,530.8836
参考库存:49632
STGWT20V60DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.8257
参考库存:4995
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