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分立半导体
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BSP373N H6327

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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4974
44.974
100
¥2.9041
290.41
1,000
¥2.3278
2327.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
177 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP373
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3.23 S
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.9 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
零件号别名
BSP373NH6327XTSA1 SP001059328
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BSP373N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4448 R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL DIODE
1:¥0.7684
10:¥0.61472
100:¥0.4068
1,000:¥0.13786
10,000:¥0.09266
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BZV55C2V7 L0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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1:¥1.7628
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:52410
BZV55B51 L1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 500mW 2%
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.28476
参考库存:52415
BZV55C68 L1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 68v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9605
1,000:¥0.32318
2,500:¥0.26894
参考库存:52420
BZV55B68 L0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 68v
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.81473
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:52425
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