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分立半导体
SSM6J501NU,LF参考图片

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SSM6J501NU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥2.7572
27.572
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.12209
1122.09
3,000
¥0.96841
2905.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN6B-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
15.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
29.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6J501
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
201 ns
典型接通延迟时间
45.2 ns
商品其它信息
优势价格,SSM6J501NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
参考库存:2037
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
参考库存:6299
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4058DY-T1-GE3
1:¥7.0738
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:16016
分立半导体
MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥17.8992
10:¥16.1364
100:¥13.0628
500:¥10.1474
参考库存:1478
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:1036540
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