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分立半导体
TSM60N380CH参考图片

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TSM60N380CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan
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数量单价合计
1
¥17.8992
17.8992
10
¥16.1364
161.364
100
¥13.0628
1306.28
500
¥10.1474
5073.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
C5G TSM60N380CH
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM60N380CH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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4,500:¥6.3958
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10:¥10.9158
100:¥8.4524
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100:¥162.7426
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分立半导体
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12,000:¥1.695
24,000:¥1.5933
48,000:¥1.5707
参考库存:43420
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