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STW27N60M2-EP参考图片

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STW27N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥39.6517
39.6517
10
¥33.6514
336.514
100
¥29.1992
2919.92
250
¥27.6624
6915.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW27N60M2-EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.6 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
商品其它信息
优势价格，STW27N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRD360T4G
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1:¥4.3053
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1,000:¥1.8532
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2,500:¥2.2713
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MBRS1540T3G
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1:¥3.2996
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IRFD310PBF
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1:¥12.6786
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FGB20N60SFD
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1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:5689
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