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分立半导体
IRLIB9343PBF参考图片

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IRLIB9343PBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC
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库存:26,032(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1416
3570.8
1,000
¥5.6387
5638.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Digital Audio MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
5.3 S
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
零件号别名
SP001558256
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRLIB9343PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 700A
1:¥1,133.8533
5:¥1,106.5751
10:¥1,079.0596
参考库存:4662
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
311:¥22.8938
500:¥20.5886
1,000:¥17.3681
2,500:¥16.5206
参考库存:52754
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9608
500:¥6.1585
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:105804
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4136
分立半导体
MOSFET MV POWER MOS
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.5262
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:9123
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