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分立半导体
SUD19P06-60-GE3参考图片

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SUD19P06-60-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.3 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SUD
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SUD19P06-60-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
参考库存:13518
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge 300A 1800V 3600 Vrms
1:¥620.3248
5:¥608.1095
10:¥582.6732
25:¥563.8474
参考库存:4455
分立半导体
MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
1:¥32.1937
10:¥27.3573
100:¥23.7413
250:¥22.5096
参考库存:4562
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 5A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
1,000:¥27.12
参考库存:8849
分立半导体
整流器 Hypfst Rect 2A 200V
1:¥4.1471
10:¥2.8476
100:¥1.9323
500:¥1.5481
10,000:¥0.9379
参考库存:67891
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