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分立半导体
STGWT80H65FB参考图片

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STGWT80H65FB

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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数量单价合计
1
¥83.8347
83.8347
10
¥77.066
770.66
25
¥73.9246
1848.115
100
¥65.088
6508.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，STGWT80H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4990CUS
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥159.7481
250:¥146.6062
500:¥139.5437
参考库存:44547
1N5357A/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:44552
JANTXV1N5546C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥157.6011
200:¥144.6852
500:¥137.7018
参考库存:44557
JANTXV1N5530C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥157.6011
200:¥144.6852
500:¥137.7018
参考库存:44562
1N5941CP/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥12.3735
4,500:¥11.9102
参考库存:44567
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