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分立半导体
IRL40B209参考图片

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IRL40B209

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
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数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥18.5998
185.998
100
¥16.0573
1605.73
250
¥15.2889
3822.225
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
414 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
270 S
下降时间
150 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
198 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
188 ns
典型接通延迟时间
56 ns
零件号别名
SP001576458
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRL40B209的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HS1DHR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,200V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥4.8364
10:¥4.3844
100:¥2.8702
1,000:¥0.9605
1,800:¥0.791
参考库存:51405
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.3053
10:¥3.0736
100:¥2.0001
500:¥1.1865
1,800:¥0.79891
9,000:查看
参考库存:51410
UG56G R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 5A,400V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
1:¥4.0002
10:¥3.3787
100:¥2.5312
500:¥1.8645
1,250:¥1.3899
2,500:¥1.2882
参考库存:51415
SK215AHE3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.9211
10:¥3.0736
100:¥2.0792
500:¥1.4238
1,800:¥0.95259
3,600:查看
参考库存:51420
S2AA R3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 50V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
1:¥3.9211
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥0.78422
1,800:¥0.64523
参考库存:51425
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