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分立半导体
ULN2003AIDR参考图片

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ULN2003AIDR

  • Texas Instruments
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  • 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
2,500
¥1.8419
4604.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-16
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
系列
ULN2003AI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.58 mm
长度
9.9 mm
工作温度范围
- 40 C to + 105 C
宽度
3.91 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
141.700 mg
商品其它信息
优势价格,ULN2003AIDR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SBN SSP SOT223 NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4578
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
2,000:¥1.3899
参考库存:533245
分立半导体
整流器 200V 1A UltraFast
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
5,000:¥0.75258
参考库存:414787
分立半导体
MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8138
2,500:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:163699
分立半导体
MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
1:¥4.068
10:¥3.3787
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:134601
分立半导体
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:18928
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