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分立半导体
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IPP100N08N3 G

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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP100N08N3GXKSA1 IPP1N8N3GXK SP000680856
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP100N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B12 RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 12V
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:31838
CZRV5227B-G
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 ZENER 200mW 3.6V
1:¥2.4634
10:¥1.6046
100:¥0.72207
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.34578
参考库存:31843
SR002HR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0,5A,20V, AXIAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.0736
10:¥2.2261
100:¥1.2995
500:¥0.73789
5,000:¥0.54579
10,000:查看
参考库存:31848
ES1JHR3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥2.6103
10:¥2.0792
100:¥1.4125
500:¥0.96841
1,800:¥0.64523
9,000:查看
参考库存:31853
CZRT5260B-G
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 0.35W, VR=43V
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.83733
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:31858
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