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分立半导体
CSD16340Q3参考图片

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CSD16340Q3

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0738
70.738
100
¥5.4353
543.53
500
¥4.8138
2406.9
2,500
¥3.3674
8418.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16340Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.8 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
44.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16340Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
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10:¥1.6724
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500:¥0.71416
15,000:¥0.3842
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1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
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