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分立半导体
DN3545N8-G参考图片

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DN3545N8-G

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数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥5.6839
56.839
25
¥4.8251
120.6275
100
¥4.3505
435.05
2,000
¥4.3505
8701
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.6 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
52.800 mg
商品其它信息
优势价格,DN3545N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:63400
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:498987
分立半导体
MOSFET Low charge STripFET
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
500:¥19.436
参考库存:8954
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
参考库存:5341
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45 Volt 30A Dual Common-Cathode
1:¥14.8256
10:¥12.2944
100:¥9.5259
500:¥8.3733
800:¥8.3733
参考库存:7248
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