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分立半导体
DMP21D0UT-7参考图片

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DMP21D0UT-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.61472
1844.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
590 mA
Rds On-漏源导通电阻
495 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP21
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
50 mS
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.7 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
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