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分立半导体
STGW40H60DLFB参考图片

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STGW40H60DLFB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,400V,50NS,ULTRAFAST RECT
1:¥4.7686
10:¥4.3053
100:¥2.825
1,000:¥0.94468
5,000:¥0.77631
参考库存:59477
分立半导体
整流器 3A, 150V SMC Ultar fast GP
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.4521
500:¥1.7967
1,000:¥1.356
3,000:¥1.243
参考库存:59482
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,30V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.5369
25:¥3.1075
100:¥2.6555
3,000:¥1.3334
6,000:查看
参考库存:59487
分立半导体
稳压二极管 1W, 18V, ZENER
1:¥5.989
10:¥3.4578
100:¥2.8024
500:¥1.6498
1,800:¥1.10627
9,000:查看
参考库存:59492
分立半导体
MOSFET 60V 44Amp 17mohm N channel Mosfet
1:¥5.1528
10:¥4.4522
100:¥3.4578
500:¥2.5538
2,500:¥1.808
5,000:查看
参考库存:59497
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