您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
FF900R12IP4参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FF900R12IP4

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:1,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,799.2747
3799.2747
5
¥3,570.2915
17851.4575
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
5.1 kW
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF900R12IP4BOSA2 SP000609750
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格,FF900R12IP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:17255
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
参考库存:12037
分立半导体
整流器 If 2A Vrrm 800V Ifsm 50A DO-214AC
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥1.09836
500:¥0.88366
3,200:¥0.56839
6,400:查看
参考库存:84969
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 100V Single Die Schottky Rectifier
1:¥7.3789
10:¥6.0681
100:¥4.6556
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
3,500:¥3.1527
参考库存:61536
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,60V,SM Schottky Rect
1:¥4.2262
10:¥3.2657
100:¥2.4295
500:¥1.9888
3,200:¥1.4012
6,400:查看
参考库存:126098
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号