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BSM300GA120DN2

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数量单价合计
1
¥1,263.2496
1263.2496
5
¥1,232.8187
6164.0935
10
¥1,202.2409
12022.409
25
¥1,185.4152
29635.38
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GA120DN2HOSA1 SP000100730
商品其它信息
优势价格，BSM300GA120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PGSMA4744HR3G
Taiwan Semiconductor
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SS12 E3G
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100:¥1.05316
1,000:¥0.72998
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1SMA130ZHR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W,130V,5%,ZENER,SMA
1:¥3.9211
10:¥2.3052
100:¥1.8306
500:¥1.08367
1,800:¥0.72207
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参考库存:41792
DF5VD60-7102
Shindengen
分立半导体
整流器 VRM=600 IFSM=140
1:¥18.1365
10:¥15.594
100:¥13.9894
250:¥13.0628
参考库存:41797
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