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分立半导体
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IGA03N120H2

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 HIGH SPEED TECH 1200V 3A
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数量单价合计
1
¥17.8314
17.8314
10
¥15.142
151.42
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.5994
5299.7
1,000
¥8.7575
8757.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
IGA03N120
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
3 A
高度
9.7 mm
长度
10.5 mm
宽度
4.7 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
零件号别名
IGA03N120H2XKSA1 IGA3N12H2XK SP000215371
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IGA03N120H2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥332.4121
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