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分立半导体
AFV141KGSR5参考图片

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AFV141KGSR5

  • NXP / Freescale
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
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数量单价合计
50
¥3,786.4492
189322.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230GS-4L-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935318921178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,AFV141KGSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
1:¥4.068
10:¥2.3504
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.70738
参考库存:52983
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B39 SC-70
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:52988
分立半导体
双向可控硅 1A Sensitive 双向可控硅 brand Thyristors
1:¥4.7686
10:¥3.4917
100:¥2.5199
500:¥2.2035
2,000:¥1.4012
10,000:查看
参考库存:52993
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1358
100:¥2.6668
1,000:¥2.1357
2,000:¥1.7967
参考库存:52998
分立半导体
桥式整流器 VR=800V, IO=25A
1:¥19.2891
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:53003
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