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分立半导体
SSM3J112TU,LF参考图片

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SSM3J112TU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.70738
2122.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J112TU
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MG12150S-BN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 150A Dual
1:¥695.628
5:¥674.1128
10:¥652.1456
25:¥630.3931
50:¥621.7147
参考库存:7646
VS-87HFR100
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1000 Volt 85 Amp
1:¥95.8918
10:¥86.3659
50:¥78.6819
100:¥70.9979
参考库存:45548
CZRF52C11
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 ZENER, 200mW 11V
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:27153
Q8006NH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 800V 6A 35-35-35mA
1:¥20.3626
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.30
1,000:¥9.2999
参考库存:45555
CD214A-B140R
Bourns
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 1A
1:¥3.3787
10:¥1.9549
100:¥1.1978
500:¥0.9379
3,000:¥0.59212
9,000:查看
参考库存:45560
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