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分立半导体
IPD70N10S3L-12参考图片

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IPD70N10S3L-12

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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
1,000
¥5.7969
5796.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD7N1S3L12XT SP000261250
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD70N10S3L-12的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A,35V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥11.752
10:¥10.4525
25:¥9.4468
100:¥8.2942
800:¥5.0624
2,400:查看
参考库存:45964
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 430V Vrm 20A Io Recovery Diode
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.3789
500:¥6.5314
1,000:¥5.1528
参考库存:45969
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V/4A SiC SCHOTTKY DIODE G3
1:¥15.4471
10:¥14.6787
25:¥13.0628
50:¥12.1362
参考库存:4214
分立半导体
整流器 1.5A, 400V, FAST Rec. SMA RECTIFIER
1:¥5.763
10:¥5.2206
100:¥3.4239
1,000:¥1.1413
1,800:¥0.94468
参考库存:45976
分立半导体
桥式整流器 35A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.8206
10:¥24.1255
50:¥19.5151
100:¥16.7466
500:¥14.0572
参考库存:45981
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