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分立半导体
2SC3326-A,LF参考图片

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2SC3326-A,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
25 V
集电极—射极饱和电压
42 mV
最大直流电集电极电流
300 mA
增益带宽产品fT
30 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SC3326
直流电流增益 hFE 最大值
1200
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格，2SC3326-A,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA25H120DF2
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:2523
IRFB7530PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:12185
STP2N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:18132
SI7892BDP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
1:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:24224
SI4423DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:41986
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