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分立半导体

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2SA1727TLQ

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
2,500
¥2.3843
5960.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
12 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SA1727TLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A, 100V,SlimSMA AEC-Q101 Qualified
14,000:¥0.89157
28,000:¥0.82264
参考库存:38925
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 Description:
6:¥1,917.158
12:¥1,869.5172
30:¥1,843.3125
参考库存:38930
SMBJ5928AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:38935
STP26N65DM2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:1912
UES1302E3/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥157.9062
200:¥144.8434
500:¥137.9278
参考库存:38942
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