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分立半导体

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STGWA25H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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1
¥58.8617
58.8617
10
¥53.1778
531.778
25
¥50.7144
1267.86
100
¥44.0248
4402.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，STGWA25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AZ23B6V8-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.8 Volt 0.3W 2% CA AUTO
1:¥3.0736
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:47275
BZB784-C8V2,115
Nexperia
分立半导体
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1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.70738
1,000:¥0.48364
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PMEG2005AEAF
Nexperia
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1:¥3.2318
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:47285
AZ23B10-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
15,000:¥0.3842
参考库存:47290
AZ23C11-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.3W 5% CA AUTO
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:47295
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