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分立半导体
STP10NM60N参考图片

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STP10NM60N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.7523
177.523
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.3735
6186.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP10NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP10NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQB47P06TM-AM002
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥18.2156
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
800:¥8.9948
2,400:¥8.9157
参考库存:12781
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.8534
5,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:35448
C2M0280120D
Wolfspeed / Cree
分立半导体
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
1:¥41.7196
100:¥40.115
500:¥38.194
参考库存:31735
BTA204-600E,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
参考库存:19532
VS-15EWX06FN-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 15A 600V 18ns Hyperfast
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.3619
500:¥5.4692
1,000:¥4.3166
参考库存:18714
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