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分立半导体
SIRA00DP-T1-GE3参考图片

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SIRA00DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
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数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥13.9103
139.103
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
830 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
220 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SIRA00DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIRA00DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5543DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥301.1337
200:¥281.0762
参考库存:35325
SCSNM0L
Semtech
分立半导体
整流器 A -CT 50A STD 1KV
10:¥3,060.3112
参考库存:35330
JANS1N4130UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥609.1152
100:¥595.8942
参考库存:35335
1N4744P/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥9.831
8,000:¥9.4468
参考库存:35340
JANS1N4122C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥951.121
参考库存:35345
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