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射频晶体管
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MRF085HR5

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
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数量单价合计
1
¥1,121.5589
1121.5589
5
¥1,099.7386
5498.693
10
¥1,063.4656
10634.656
25
¥1,018.4351
25460.8775
50
¥1,004.457
50222.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494178
单位重量
0 mg
商品其它信息
优势价格，MRF085HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF861C,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:27197
MMRF2010GNR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:35114
MAX2602ESA+
Maxim Integrated
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射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥35.1882
25:¥27.5042
50:¥23.8204
250:¥23.278
1,000:¥21.2101
参考库存:2859
GTVA123501FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W
1:¥3,749.1818
50:¥3,749.1818
参考库存:1981
MRF10120
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,344.70
参考库存:1883
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