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射频晶体管

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MRF10120

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1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
封装 / 箱体
355C-2
工作频率
1.215 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
380 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF10120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T18S160W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,160.3631
参考库存:38438
BF861B,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:104723
TAN350
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥3,581.0491
参考库存:38445
PH3135-20M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,350.3839
25:¥1,301.7487
参考库存:38450
TPV595A
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:38455
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