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射频晶体管
BLT81,115参考图片

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BLT81,115

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
9.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流
0.5 A
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934019790115
单位重量
100 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H450W19SR6
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150:¥1,466.2654
参考库存:35507
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NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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参考库存:35512
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5:¥427.6146
10:¥410.9358
25:¥397.647
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射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:35524
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