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射频晶体管
KSC1674YBU参考图片

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KSC1674YBU

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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5142
15.142
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43053
430.53
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
KSC1674
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
工作频率
600 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
600 MHz
最大直流电集电极电流
0.02 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
KSC1674YBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,KSC1674YBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
250:¥508.3757
参考库存:37705
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,502.107
5:¥10,423.8884
参考库存:4325
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
1:¥1,009.3725
10:¥891.2649
25:¥790.9887
50:¥749.6533
参考库存:37712
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,284.6792
5:¥2,217.5233
10:¥2,078.748
25:¥2,029.2653
参考库存:37717
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥2,586.7395
2:¥2,524.5782
5:¥2,497.6842
10:¥2,461.8745
参考库存:37722
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