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射频晶体管
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BLV20

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数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
2.5 A
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MW6S010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:6053
2731GN-110M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥2,912.8462
参考库存:37780
MAPR-002729-170M00
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1
20:¥3,002.749
参考库存:37785
1090MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥825.4198
100:¥795.4522
参考库存:37790
BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:31630
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