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射频晶体管
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TGF2025

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
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数量单价合计
100
¥46.8724
4687.24
300
¥43.7988
13139.64
500
¥40.9512
20475.6
1,000
¥38.2618
38261.8
2,500
¥35.9566
89891.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
81 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
890 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
97 mS
NF—噪声系数
0.9 dB
P1dB - 压缩点
24 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098611
商品其它信息
优势价格，TGF2025的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF151G
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,315.1166
10:¥1,273.0128
25:¥1,230.9768
50:¥994.7729
参考库存:4545
PTVA127002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥7,143.2046
参考库存:36932
MRF1535NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
1:¥210.3156
5:¥201.0157
10:¥194.021
25:¥169.274
500:¥145.996
参考库存:12827
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:36939
T2G6001528-Q3
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:3989
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