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射频晶体管
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SD1480

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数量单价合计
1
¥587.826
587.826
10
¥539.4168
5394.168
25
¥484.092
12102.3
50
¥428.7672
21438.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M111
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1480的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PRF947,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:32304
MRF085HR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF085H/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥868.9813
参考库存:34916
MICROFC-SMTPA-30020-GEVB
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 C-SERIES 3MM 20U SMTPA
1:¥528.275
参考库存:1661
SD2932W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
1:¥1,170.8156
5:¥1,147.7636
10:¥1,094.2807
25:¥1,071.3078
参考库存:34923
RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
1:¥19.8993
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:5693
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