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射频晶体管
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MRF150MP

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
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数量单价合计
1
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2
¥935.6852
1871.3704
5
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4571.189
10
¥887.502
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
高度
6.58 mm
长度
26.04 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
24.77 mm
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
4 mhos
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF221
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:35393
PTAC240502FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥512.6019
参考库存:35398
SD3933
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:35403
MRF454
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
1:¥353.8482
10:¥340.243
参考库存:2458
MMRF1305HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
1:¥635.3877
5:¥623.0933
10:¥602.5047
25:¥576.9893
50:¥569.0793
参考库存:2100
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