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射频晶体管
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SD57030

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
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数量单价合计
1
¥437.3778
437.3778
5
¥427.5355
2137.6775
10
¥410.868
4108.68
25
¥397.5679
9939.1975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
4.45 mm
长度
20.57 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57030
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.1 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.8 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
74 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD57030的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU550WX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:71849
MRF3866
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:2051
SD57045-01
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:1888
MRF8P20140WGHSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
250:¥700.0124
参考库存:35030
BFU520R
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:18570
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