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射频晶体管
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TPV595A

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数量单价合计
1
¥1,551.2414
1551.2414
10
¥1,423.461
14234.61
25
¥1,277.465
31936.625
50
¥1,131.469
56573.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5.2 A
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，TPV595A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVF4017SG4T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:17347
D1018UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
50:¥691.0967
100:¥685.4128
参考库存:37559
HFA3135IHZ96
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
3,000:¥34.1147
参考库存:37564
AFT21S230SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
250:¥1,072.3022
参考库存:37569
CGH40120F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
1:¥2,165.8145
参考库存:4534
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