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射频晶体管
MRF8372LF参考图片

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MRF8372LF

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库存:1,175(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
800 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.2 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,MRF8372LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
WiFi / 802.11 Development Tools W2CBW0016 Dev Kit without Host
暂无价格
参考库存:39756
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd for 2.4GHz
暂无价格
参考库存:39761
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:48856
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
1:¥36.5781
10:¥29.4252
100:¥26.8149
250:¥24.2046
1,000:¥18.2834
参考库存:11048
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
1:¥18.6676
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:12845
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