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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ARF463BP1G	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥277.0082 5:¥264.5556 10:¥256.2614 25:¥235.5146	参考库存:2419
PD55035S-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	400:¥191.0265	参考库存:35761
D1016UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP	1:¥814.5831 10:¥716.307 25:¥636.6985 50:¥571.1472	参考库存:35766
MZ0912B50Y	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN	10:¥2,382.04 25:¥2,151.52	参考库存:35771
AFT21S232SR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2	250:¥714.838	参考库存:35776